TFT相关论文
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New approaches for overcoming stability issues of silicon TFTs: polymerphous nano-crystalline silico
For the application to thin film transistor (TFT) backplane of such flexible active matrix OLEDs with plastic substrates......
Higher Ion and lower Ioff are eagerly required by gate on array(GOA)technology to guarantee its function.Different SiH4/......
Al2O3 是一种宽带隙、高介电常数(high-k)的氧化物,常作为薄膜晶体管(ThinFilm Transistors,TFTs)中的栅极绝缘层.其主要制备工艺......
Amorphous oxide semiconductors(AOSs) are considered as the most promising channel materials for thin-film transistors(TF......
在所有宽禁带半导体中,ZnO由于其3.37 eV的禁带宽度以及较大的激子束缚能在光电领域受到了广泛关注.研究者们尝试了多种技术来提高......
在低温下制备了三氧化二铝/二氧化硅双层栅介质铟镓锌氧薄膜晶体管。原子力显微镜图显示双层栅介质薄膜具有良好的均一性。经过200......
现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的......
薄膜晶体管(TFT)是当今平板显示领域中不可或缺的电子元器件之一。随着显示技术向着大尺寸、超高分辨率、3D显示等方向不断发展，传......
《IEC 61000-4-15:2010电磁兼容性(EMC)第4部分试验和测量技术第15节闪烁计功能和设计规范》标准要求在基波频偏、载波含谐波、基......
现在TFT应用越来越广泛,丰富了人们的视看需求,同时随着生活水平的逐步提高,人们对显示效果要求也越来越高。本文对TN-TFT液晶光学......
基于薄膜晶体管的专利研究已然成为全球研究热点,阐述薄膜晶体管的全球专利技术申请状况,涉及专利申请量布局、申请人统计分析,以......
基于TFT投影技术的抬头显示器随着视野范围和投影距离的增大,给用户带来了更好的用户体验和驾驶安全性,但随着光学放大率的增大,当......
中兴G100这款手机小巧轻盈，只有79克的分量，银色的主打色搭配深蓝色显得时尚而又不张扬。分辨率为128×160像素的65K色TFT内彩屏......
彩色ＴＦＴ－ＬＣＤ发展现状与前景彩色ＴＦＴ－ＬＣＤ（薄膜晶体管液晶显示器）是当今平板显示器中发展最快、技术最成熟、应用领域潜力最广、显示功能最强、显示质......
本文报道了采用倒置交错结构（Ｔａ／（Ｔａ２Ｏ５）ＳｉＮｘ／ｉｎ＋ａ－Ｓｉ／Ａ１）的ＴＥＴ矩阵研究结果．其关态电流（Ｉ_ｏｆｆ（－５Ｖ））在５—７×１０￣－１４Ａ（对Ｗ／Ｌ＝１０），开态电流Ｉ_ｏｎ（Ｚ０Ｖ）大于１０μＡ，Ｉ_ｏｎ／Ｉｏｆｆ在１０８量级，场效应迁移率可达０．７９ｃｍ２／Ｖ．ｓ．
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研究了氯掺合（Ｃｌｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）对非晶硅薄膜晶体管（ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ）性能的影响。在光照明下，ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）ＴＦＴ的断态漏电流比ａ＿Ｓｉ∶ＨＴＦＴ的小得多，这是因为ａ＿Ｓｉ∶Ｈ（∶Ｃｌ）的光电导率比常规ａ＿Ｓｉ∶Ｈ的小得......
分析了a－Si：HTFT有源层──a－Si：H薄膜质量和厚度对于a－Si：HTFT关键性指标（通断电流比、阈值电压、响应时间、开口率）的影响，深入、详细地研......
研究Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅对ａ－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ性能的影响，介绍Ａｌ２Ｏ３／ＳｉＮＸ双层绝缘栅的制作方法．双层绝缘栅结构有效地抑制了单层绝缘栅的针孔效应，改善了短接现象，提高了有......
建立了一个ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ的物理模型，并在此基础上分析了ｐｏｌｙ－Ｓｉ材料特性对ｐｏｌｙ－ＳｉＴＦＴ器件特性的影响。该模型考虑了晶粒和晶粒间界的不同特性，对泊松方程做了两维模......
对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影......
介绍了薄膜晶体管（ＴＦＴ），特别是ｐ－Ｓｉ（多晶硅）ＴＦＴ矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性，对器件参数的选择进行了分析
The ......
日本得克萨斯仪器公司 (日本TI)在日本IBM公司的协助之下开发出了液晶面板薄型化、轻量化以及降低了噪声的芯片装置。为了实现液晶......
6月27日获悉,康宁公司宣布推出世界上第一款也是唯一一款用于有源矩阵液晶显示器(AMLCD)的商业用第六代薄膜晶体管(TFT)玻璃基板......
我们提出并开发了一种先进的6步光掩模工艺,可用于制备有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)中p型沟道多晶硅薄膜晶体管(TFT)面板。通过......
半导体、TFT厂商大举扩充12英寸晶圆及6代面板厂,合计资本支出5000亿元以上。预计IC厂商产值将率先达新台币1兆元,大尺寸面板、晶......
精工爱普生和JSR日前使用液体材料成功地形成了硅薄膜。使用这种硅薄膜的低温多晶硅TFT的电子迁移率高达108cm2/V·s,实现了和过去......
近年来,微晶硅(μc-Si:H)被认为是一种制作TFT的有前景的材料。采用PECVD法,在低于200℃时制作了微晶硅TFTs ,其制作条件类似于非......
日前,三菱电机开发出可使画面弯曲的15.6in彩色TFT液晶模块,画面纵横比为3:10,显示性能与平面型液晶模块相同。主要面向注重外观设......
在不同基片温度(RT、300、400、500和600℃)下,采用射频磁控溅射法制备了ZnO薄膜和BZN薄膜。研究表明,所制备的BZN薄膜拥有非晶态......
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)材料是一种基于半导体薄膜开关技术的新型快速显示材料。TFT液晶材料主要应用于电视、电脑、数码相机......
在经济学视野下,行刑衔接是一种双方互动的关系,必须解决二者间的协调与合作问题,以实现整体利益最大化。基于"智猪博弈"模型,应当......
了解TFT显示技术的各种特点,可以使你更好地把显示器和接口与你的应用匹配起来。由于TFT(薄膜晶体管)显示器成本泊渐降低,并且人们......
分析了α－Ｓｉ∶Ｈ薄膜的质量和厚度对α－Ｓｉ∶ＨＴＦＴ关键性指标的影响，深入、详细地讨论了其ＰＥＣＶＤ淀积工艺，并在实验的基础上确定了最佳淀积工艺参数，从而获......
对ｐｏｌｙ—ＳｉＴＦＴ的制作工艺进行了研究。采用准分子激光晶化法制备了多晶硅薄膜，并以Ｍｏ、Ａｌ两种金属直接与有源层接触形成源漏电极，对这两种不同金属......
笔记本电脑的屏幕是越来越大、越来越亮了,但也越来越紧缺!新年伊始,市场上引入了13.1英寸的显示屏,可供应商仍为12.1英寸TFT(Thi......
Acer于日前采用3.5代生产技术,成功试产出TFT LCD液晶显示器达到世界最先进水平,并于今年7月将开始正式量产。跟传统的CRT显示器......
最近,LG 电子公司推出了一种新的手持式计算机。这一计算机具有一个大规格的显示器及一个大规格的键盘(可充分满足当前典型计算应......
Toshiba 将把它的 TFT 液晶显示器的生产转移至台北的公司。威盛利华(Washin Lihwa)公司是一家生产40余种产品的股份公司,它期望......
